自从60年代开始硅一直是半导体器件的主要材料.许多研究人员一直在研究硅半导体性能的极限。 并已创造了几种超越硅的限制的创新材料，例如各种化合物半导体材料。.

由于易于制造，高可靠性，低成本和持续创新的原因，硅一直保持着半导体技术领导者的地位。

但是，超结（SuperJunction）理论打破了硅的极限，达到了高耐压和低导通电阻

IceMOS 的 MEMS MOSFET是“超结技术”的高压MOSFET，通过将Silicon MOSFET技术和MEMS技术相结合，IceMOS可提供世界一流的性能。促进了MOSFET极端性能的提高。.

在超级结产品的数据表中，ICEMOS 对“无铅标记”的定义: ICEMOS 对无铅标记的定义意味着 ICEMOS 不有意使用铅(Pb)以及任何组成材料和最终产品中铅(Pb)水平低于1000ppm (0.1wt%) 的组件。