I ceMOS Technology 是100-150mm空腔键合（cavity bonding） SOI晶片的领先供应商，这类晶片适于各种MEMS应用。 通过多年深层硅沟槽蚀刻的专业知识和经验，以及我们先进的晶圆键合技术，使您的空腔专用材料成为创新产品的材料.

IceMOS空腔键合SOI晶圆在硅薄膜下方具有预蚀刻的空腔。 您可以将其设计成满足市场需求的高级设备。

空腔键合SOI为我们的客户提供以下好处 -

Icemos提供了多种方法，可根据您的空腔需求量身定制空腔键合SOI方法。

IceMOS的 定制CSOI解决方案用于以下领域:

我们还具有将高级功能集成到空腔键合SOI的额外优势，并创建您从未想过的解决方案。