TSOI Wafers

IceMOS Technology 提供电介质分离技术，例如在单个芯片上分离耐高压部件。 隔离使用厚膜SOI和高深宽比的深沟槽蚀刻以及氧化物和多晶硅嵌入结构。 这项技术的晶圆尺寸为100-150 mm，器件层的厚度可以为1.5-100 um。

我们的沟槽SOI适用于以下领域:

  • MEMS 器件
  • 固态继电器
  • P光伏电池和光学电子设备/ IC
  • 电信用高耐压类比 IC
  • 高性能双极电路
  • 智能电源 IC
  • 集成传感器

我们的工程师将与您的设计团队紧密合作，以充分发挥您产品的潜力.

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