关于 IceMOS


IceMOS Technology成立于2004年,致力于具有成本效益高性能的超级MOSFET,MEMS解决方案和先进工程基材的一流供应商.

IceMOS研发了创新的深沟槽 MEMS 高压SuperJunction MOSFET,其工艺更简单,成本更低,胜过同类解决方案。SuperJunction MOSFET 的应用包括:

  • 工業用電源、充電器
  • LED TV驱动器 和电源供应
  • 照明 HID和 LED镇流器
  • 电动车和混合动力汽车
  • 太阳能逆变器
  • IT硬件:服务器,笔记本电脑和平板电脑

我们能全面应对诸如再生能源技术和云计算机之类的趋势。

基于我们的晶圆键合技术,IceMOS是开发和制造高质量MEMS产品基材以及先进工程基材的全球领导者。我们的产品包括:

  • Thick Film Silicon on Insulator (SOI)
  • Silicon – Silicon Direct Bonded Wafers (SiSi)
  • Double / Multi layer SOI and SiSi
  • Trench isolation SOI
  • Cavity SOI
  • Through Silicon Via Interconnect
  • Custom Advanced Engineering Substrates

我们的核心专业知识是晶圆键合,深度反应离子蚀刻 (DRIE)和晶圆成型

利用在DRIE中的专业知识,在块状Si衬底或SOI上为客户提供沟槽蚀刻和填充服务。结合我们的SOI和沟槽蚀刻与再填充技术,我们为客户提供独特的介电隔离衬底准备服务。

SOI材料广泛用于以下应用中,例如电信产品和光学设备,介电隔离的集成电路,固态继电器以及用于MEMS传感器,致动器和瑞士豪华钟表业的硅表零件的微机械部件。

如无现成产品,IceMOS将直接与客户合作开发独特的专用产品。正是因为如此,IceMOS 的产品组合才是卓越的。

拥有十多年的专业知识,卓越的制造技能以及最新的技术发展,IceMOS确保从最初的询问到产品交付,每个客户都能获得出色的服务。 除了提供创新的产品开发,设计和专业服务,IceMOS的工程团队更提供一系列技术支持。

敬业的团队通过提供半导体行业的最新创新,为客户提供量身定制的解决方案和独特服务

IceMOS 荣获“ISO 9001, TS 16949汽车质量标准”,以对质量程序的持续投资而自豪。通过提供持续的员工培训,确保每个员工都保持最新状态,以了解高科技制造领域的最新技术进步

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