IceMOS Technology 开发了一种创新且高功能的晶圆互连技术，为标准IC和MEMS器件行业中的器件设计师克服与设计相关的封装问题。 使用这种互连解决方案可使我们的许多客户轻松地将其设计容到带有焊料凸点触点的晶圆级封装。

IceMOS Technology解决方案是用经过前期处理的基材，该基材通过已在基材内形成的互连件交付给客户。这个基材和CMOS可以完全兼容。

所有互连均通过晶圆蚀刻完成，并使用重掺杂多晶硅进行重新填充。 晶圆符合表面金属污染，平面度和颗粒计数的所有标准规格。 我们已经验证了扩散温度高达1200度C的稳定基材性能。

IceMOS专门的TSV解决方案适用于以下领域：

IceMOS将与合作伙伴一起开发客户特定的晶圆互连解决方案，采用首选的互连模式并实施在晶圆上，从而轻松连接至电路或传感器。 TSV可能在现有焊垫的旁边或下方。 优化设计并完全根据客户要求进行定制.