对半导体设备制造商而言，Icemos硅硅叠层晶圆是替代传统厚Epi和反向Epi材料（如用于功率器件和PiN二极管的传统材料）的一种经济高效的产品.

我们将以此为准。 使用直接键合晶片的技术，可以制造包含各种单晶硅的硅基材。 电阻范围为1mΩ-cm至10kΩ-cm。 可以使用N型和P型材料排列取向方向，然而使用外延片却无法实现这功能。

IceMOS SiSi wafers 用于以下领域:

Icemos SiSi 层压工艺具有低流失，高质量，低翘曲和低缺陷密度的特点。 可以将各层的厚度变化可以低至 +/- 0.5um或更小。 从高浓度到低浓度的掺杂程度也可以根据客户的应用进行急剧或轻微地调节。